Exynos 2700 zdeklasuje Snapdragona? Duża różnica w pamięci

Samsung ma wprowadzić nową architekturę układu Exynos 2700. Wraz z ulepszeniami mechanizmu odprowadzania ciepła, ma to przyczynić się do ogromnego wzrostu przepustowości pamięci. Aż o 30-40% wyższa przepustowość pamięci Samsung za sprawą układu Exynos 2600 dokonał sporego przeskoku technologicznego, stosując w nim tzw. Heat Pass Block, czyli pasywny radiator stykający się bezpośrednio z RAM-em. Dzięki niemu udało się stworzyć "kanapkową" strukturę, gdzie SoC był na samym dole, nad nim kość RAM, a nad kością RAM – radiator HPB. Dzięki temu rozwiązaniu udało się uzyskać o wiele lepszą kulturę pracy i wydajność termiczną, ale jednak nadal część ciepła pozostaje uwięziona pomiędzy SoC a RAM-em. Z kolei Exynos 2700 ma to zmienić, bo RAM będzie umieszczony obok SoC, a radiator HPB znajdzie się nad nimi. Dzięki temu ma wzrosnąć przepustowość pamięci o 30-40%, jak również ma się to przełożyć na lepszą energooszczędność oraz stabilność pracy. Exynos 2600 już przebił w tym ostatnim aspekcie Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5, a wygląda na to, że Exynos 2700 jeszcze zwiększy przewagę w tym aspekcie. Dla przypomnienia - układ Exynos 2700 ma wykorzystywać proces Samsung SF2P, czyli następną generację 2‑nanometrowego procesu GAA, który zastosowano wcześniej w Exynosie 2600. Gate-All-Around (GAA) to trójwymiarowa architektura tranzystorów, w której bramka całkowicie otacza kanał - złożony z pionowo ułożonych nanowarstw - ze wszystkich czterech stron. Zapewnia to lepszą kontrolę elektrostatyczną i niższy próg napięcia. W związku z tym nowy proces SF2P ma zapewnić wzrost wydajności o 12 procent oraz zmniejszyć zużycie energii o 25 procent względem poprzedniego procesu SF2. Exynos 2700 ma trafić do nadchodzącej nowej linii smartfonów Samsung, w domyśle - Galaxy S27.