Samsung ogłosił, że rozpoczął wstępną produkcję swojego układu półprzewodnikowego, wykonanego w technologii 3 nm z wykorzystaniem architektury tranzystorowej Gate-All-Around (GAA). W porównaniu z procesem 5 nm zyskać mamy sporo na wydajności oraz efektywności energetycznej, przy jednoczesnej redukcji rozmiaru.
Gate-All-Around (GAA) to kolejny po FinFET krok w ewolucji architektury tranzystorowej. Wykonane z jej zastosowaniem oraz przy użyciu procesu litograficznego 3 nm nowe układy elektroniczne firmy Samsung mają, w porównaniu technologią 5 nm, mogą zapewnić do 23% lepszą wydajność oraz do 45% mniejsze zużycie energii. A to wszystko przy powierzchni układu mniejszej o 16%.
Zobacz: Zmień smartfon na Samsunga i zyskaj nawet 3500 zł
Zobacz: Samsung szykuje telefon, na który nikt nie czeka, ale jest potrzebny
Wykonane w technologii 3 nm chipy Samsunga drugiej generacji mają być jeszcze potężniejsze. W porównaniu z układami produkowanymi w technologii 5 nm mają one osiągnąć do 30% lepszą wydajność, do 50% mniejsze zużycie energii oraz do 35% mniejszą powierzchnię.
Architektura GAA pozwala odlewni na zmniejszenie tranzystorów bez szkody dla ich zdolności do przewodzenia prądu elektrycznego.
Samsung tym samym wyprzedza konkurencyjną firmę TSMC z Tajwanu, która ma rozpocząć masową produkcję układów w procesie litograficznym 3 nm w drugiej połowie tego roku.
Zobacz: ARM prezentuje rdzenie Cortex-X3 oraz Cortex-A715
Zobacz: Mediatek zapowiada układ Dimensity 9000+. Qualcomm ma się czego bać
Źródło zdjęć: Samsung
Źródło tekstu: Samsung
