Intel chce wrócić na rynek pamięci. Czy to zażegna obecny kryzys?
Rozwiązanie aktualnego kryzysu ma być nowa technologia, która pozwoli na produkcję ZAM. Kości te zaoferują większą pojemność i energooszczędność.
Boom na infrastrukturę AI napędza bezprecedensowy popyt na DRAM. Hiperskalerzy i producenci układów pochłaniają ogromne wolumeny, a że globalna liczba dostawców pamięci jest ograniczona, cały łańcuch dostaw zaczyna się dławić. To właśnie dlatego na scenę chce wrócić Intel, tym razem w nietypowym duecie z SoftBankiem i jego spółką Saimemory.
Pojemność do 512 GB i nawet 50% niższe zużycie energii
Efektem tej współpracy ma być nowy standard o nazwie Z-Angle Memory, w skrócie ZAM. Prace nad tą technologią miały ruszyć w ramach programu wspieranego przez Departament Energii USA, gdzie Intel prezentował już wcześniej swoje koncepcje nowej generacji łączenia warstw DRAM. Oficjalne komunikaty SoftBanku są oszczędne w szczegółach, ale z dostępnych informacji wynika, że ZAM ma znacząco różnić się od HBM.
Zamiast pionowych przelotek, sygnały miałyby być prowadzone ukośnie wewnątrz stosu. Takie podejście pozwala lepiej wykorzystać powierzchnię krzemu na same komórki pamięci, zwiększyć gęstość upakowania i jednocześnie obniżyć opór cieplny. W praktyce oznacza to więcej pamięci w jednym układzie i łatwiejsze odprowadzanie ciepła.
Wiele wskazuje też na zastosowanie hybrydowego łączenia miedź-miedź, które umożliwia bardzo ścisłe zespolenie kolejnych warstw. Zamiast typowego stosu, powstaje konstrukcja bliższa monolitycznemu blokowi krzemu. Co więcej, ZAM ma być konstrukcją pozbawioną klasycznych kondensatorów, a do połączenia pamięci z układami AI wykorzystany zostałby interposer EMIB, znany z innych projektów Intela.
Choć konkretne liczby porównujące ZAM z obecnymi pamięciami HBM nie zostały jeszcze ujawnione, branżowe przecieki sugerują nawet 40-50% niższe zużycie energii, prostszy proces produkcyjny oraz znacznie wyższą pojemność pojedynczego układu, potencjalnie sięgającą 512 GB.
Historia zatacza tu ciekawy krąg. Intel był już kiedyś dużym graczem na rynku DRAM, ale w 1985 roku wycofał się z tego segmentu po utracie udziałów na rzecz japońskich producentów. Dziś pamięć ponownie staje się jednym z kluczowych elementów całej układanki. Jeśli Z-Angle Memory spełni obietnice, a Intelowi uda się przekonać liderów rynku akceleratorów, takich jak NVIDIA, do wdrożenia nowej technologii, może to być jeden z ciekawszych zwrotów akcji w półprzewodnikowym świecie ostatnich lat.
