Chińska branża półprzewodników zbliża się do przełomu. Chodzi o HBM
Państwo Środka powoli nadrabia zaległości technologiczne. Pozwala to coraz bardziej uniezależnić się od zagranicznych rozwiązań i amerykańskich sankcji.
Jednym z głównych ograniczeń w rozwoju własnych akceleratorów sztucznej inteligencji przez Chiny był dostęp do wydajnych pamięci typu HBM. Trzech największych producentów to kolejno Micron, Samsung oraz SK hynix. Jest to jedna amerykańska i dwie koreańskie firmy, które podporządkowywały się sankcjom eksportowym nakładanym przez USA.
Chińskie pamięci HBM3E już w 2027 roku
Wygląda jednak na to, że już niedługo nie będzie to problemem. Jak podaje DigiTimes, chiński producent CXMT dostarczył firmie Huawei pierwsze próbki pamięci HBM3. Uznawane jest to za zapowiedź rozpoczęcia masowej produkcji jeszcze w tym roku. To ważny krok dla Pekinu, który ma pomóc uniezależnić się od akceleratorów AI od NVIDII.
Dotychczas Chiny były uzależnione od zapasów HBM zgromadzonych przed wprowadzeniem zachodnich restrykcji eksportowych. Krajowe firmy nie dysponowały odpowiednią technologią ani mocami produkcyjnymi, by uniezależnić się od dostaw z zagranicy.
Teraz sytuacja zaczyna się zmieniać. CXMT, mimo że wciąż odstaje technologicznie od liderów takich jak SK hynix, posiada rozbudowane linie produkcyjne DRAM i sukcesywnie zwiększa swoje moce przerobowe. W 2025 roku mają one osiągnąć od 230 do 280 tysięcy wafli miesięcznie.
Chińska firma planuje wprowadzić pamięci HBM3E na rynek w 2027 roku - mniej więcej wtedy, gdy HBM4 stanie się nowym standardem w branży. Równolegle CXMT rozwija także segment pamięci konsumenckich i rozpoczęła produkcję modułów DDR5 potrzebnych w centrach danych AI, osiągając wydajność produkcji na poziomie około 80%.
