Samsung chce walczyć z TSMC i Intelem. Przyśpieszono 2 nm
Nad fabryką w Stanach Zjednoczonych pracuje już ponad 7000 osób. Ma ona oferować najnowsze węzły, z których skorzysta m.in. Tesla.
Samsung przybliża się do uruchomienia zaawansowanej produkcji półprzewodników w USA. Z najnowszych doniesień wynika, że już w marcu koncern rozpocznie testowe operacje maszyn EUV w swojej fabryce w Taylor w Teksasie. To kolejny krok w realizacji planu, który ma doprowadzić do masowej produkcji 2-nanometrowych wafli GAA na amerykańskiej ziemi.
FAB będzie większy niż te w Korei Południowej
Zakład ten posłuży jako poligon doświadczalny dla instalacji, trawienia i osadzania kluczowego sprzętu EUV. Pełnoskalowa produkcja ma ruszyć w drugiej połowie 2026 roku. Na razie nie wiadomo, czy w tej lokalizacji powstaną układy Exynos 2600 lub inne SoC Samsunga. Potwierdzono natomiast, że w Teksasie będą wytwarzane chipy AI5 i AI6 dla Tesli.
Aby przyspieszyć prace, na placu budowy zatrudniono 7 tysięcy pracowników. Po zakończeniu inwestycji sześciopiętrowy budynek ma pomieścić około tysiąc osób. Sama skala projektu robi wrażenie. Powierzchnia terenu fabryki w Taylor wynosi 4,9 miliona m2, co czyni ją większą niż zakłady Samsunga w Pyeongtaek i Hwaseong.
Europa ma zasadniczy wkład w najnowsze litografie
Kluczowym elementem całej układanki są maszyny EUV od holenderskiego ASML. Bez nich masowa produkcja 2 nm GAA byłaby niemożliwa. Obecnie wydajność najnowocześniejszych procesów Samsunga szacowana jest na około 50%, a poprawa tego wyniku jest niezbędna, jeśli spółka chce doprowadzić swój biznes foundry do rentowności do 2027 roku.
Problemem pozostają koszty. Jedna maszyna EUV to wydatek rzędu 339 milionów dolarów, czyli około 1,2 miliarda złotych. Stanowi to poważne obciążenie finansowe w sytuacji, gdy Samsung notował łączne straty sięgające 680 milionów dolarów w trzecim i czwartym kwartale 2025.
Z drugiej strony firma wykazała się dalekowzrocznością. Teren w Taylor został zaplanowany z myślą o rozbudowie nawet do dziesięciu fabryk, co daje pole do dalszej ekspansji. Początkowo lokalizacja ta była rozważana pod produkcję w litografii 4 nm, jednak w obliczu niechęci TSMC do przenoszenia najbardziej zaawansowanych technologii do USA, Samsung dostrzegł swoją szansę. W efekcie mówi się o ambitnym celu początkowej produkcji na poziomie 50 tysięcy wafli, co może znacząco wzmocnić pozycję Koreańczyków na globalnym rynku półprzewodników.
