Rosja pręży muskuły, ale to technologiczny skansen
Rosjanie chwalą się swoimi możliwościami pod względem produkcji układów scalonych. Prawda jest jednak brutalna - mają od 17 do 19 lat zaległości.

Pomimo licznych trudności, Rosja nie rezygnuje z ambitnych planów uruchomienia lokalnej produkcji chipów w procesie 28 nm do 2030 roku. Takie założenie przedstawiono już kilka lat temu, ale plany te zostały ponownie potwierdzone przez Konstantina Truszkina, zastępcę dyrektora ds. rozwoju w MCST, firmie odpowiedzialnej za rosyjskie procesory Elbrus.
TSMC oferowało litografię 28 nm już w 2011 roku
Zgodnie z wypowiedzią Truszkina, zakłady produkcyjne mają powstać między 2028 a 2030 rokiem. MCST zdaje sobie sprawę, że nie będzie w stanie oferować rozwiązań na bazie instrukcji x86 ze względu na kwestie licencyjne (prawa ma tylko Intel, AMD oraz VIA). Z tego powodu rozwijane będą alternatywne architektury, takie jak obecne SPARC, korzystające z RISC.



Po inwazji Rosji na Ukrainę w 2022 roku, Tajwan ograniczył dostawy zaawansowanych układów scalonych do Rosji i Białorusi. W odpowiedzi Rosja zaczęła intensyfikować działania zmierzające do odbudowy własnego sektora produkcji półprzewodników. Obecnie zakończono prace nad narzędziami litograficznymi zdolnymi do produkcji w technologii 350 nm, choć produkcja masowa jeszcze się nie rozpoczęła. Równolegle firma ZNTC rozwija urządzenia umożliwiające produkcję w procesie 130 nm.
Pojawiają się również doniesienia o nielegalnym przemycie do Rosji systemów litograficznych z serii ASML PAS 5500 oraz części zamiennych do nich. Najbardziej zaawansowane wersje tych urządzeń, wyposażone w laser ArF o długości fali 193 nm, umożliwiają produkcję układów klasy 90 nm.
Dla porównania TSMC oferowało litografię 28 nm już w 2011 roku, a więc nawet jeśli wszystko pójdzie zgodnie z planem, to Rosjanie będą mieli od 17 do 19 lat zaległości. Oczywiście ani Tajwańczycy, ani Amerykanie nie stoją w miejscu i oferują już na szeroką skalę proces 3 nm, a niedawno ruszyły pierwsze testowe partie dla litografii 2 nm z planowaną dostępnością pod koniec tego lub na początku przyszłego roku.