Micron pokazał pamięci nowej generacji. Oferują przepustowość 2,8 TB/s
Amerykański lider na rynku produkcji układów DRAM i NAND jest już gotowy do debiutu HBM4. Będzie jeszcze wydajniej niż pierwotnie zakładano.
Micron ogłosił wyniki za rok fiskalny 2025, które okazały się lepsze od oczekiwań rynku. Podczas konferencji CEO firmy, Sanjay Mehrotra, ujawnił również szczegóły dotyczące nadchodzącej pamięci HBM4. Nowa generacja ma zadebiutować w przyszłym roku i będzie oferować parametry przewyższające oficjalną specyfikację JEDEC.
Klienci będą mogli dostosować HBM4E do swoich potrzeb
Amerykanie potwierdzili, że ich 12-warstwowe układy HBM4 są już gotowe, a pierwsze próbki zostały już wysłane do partnerów. Charakteryzują się one przepustowością ponad 2,8 TB/s oraz prędkością przekraczającą 11 Gb/s per pin, podczas gdy standard JEDEC przewiduje odpowiednio 2 TB/s i 8 Gb/s. Oznacza to wzrost o około 40% względem specyfikacji bazowej.
Głównym powodem takiego podejścia są rosnące wymagania NVIDII. Micron podkreślił, że ich HBM4 ma oferować najwyższą wydajność na rynku oraz najlepszą efektywność energetyczną dzięki zastosowaniu technologii 1-gamma DRAM, autorskiego układu CMOS w warstwie bazowej oraz zaawansowanych rozwiązań w pakietowaniu.
CEO rzucił również nieco światła na plany dotyczące HBM4E. Oprócz standardowych wersji, firma zaoferuje możliwość dostosowania układu. To rozwiązanie po raz pierwszy zostanie wykorzystane przez NVIDIĘ i AMD
