Intel 18A kontra TSMC N2. Są pierwsze szczegóły

TechInsights oraz SemiWiki ujawniły kluczowe informacje na temat nadchodzących litografii Intel 18A (klasy 1,8 nm) i TSMC N2 (klasy 2 nm), które zostały przedstawione podczas konferencji IEDM. Według tych danych proces produkcji od Niebieskich może zapewnić wyższą wydajność, podczas gdy Tajwańczycy zaoferują większą gęstość tranzystorów.

Walka toczy się między USA i Tajwanem, Korea jest w tyle

Z analizy TechInsights wynika, że układy oparte na TSMC N2 będą charakteryzować się upakowaniem na poziomie 313 mln tranzystorów na mm² (MTr/mm²). To znacznie więcej niż w przypadku Intel 18A (238 MTr/mm²) oraz Samsung SF2/SF3P (231 MTr/mm²). Należy jednak pamiętać, że te dane dotyczą wyłącznie komórek typu HD. W praktyce producenci procesorów wysokiej klasy stosują mieszankę różnych rodzajów - HD, HP i LP, a także dodatkowe technologie, takie jak FinFlex czy NanoFlex.

Kolejną kwestią jest wydajność. Szacuje się, że Intel 18A może przewyższyć TSMC N2 i Samsung SF2 pod względem osiągów. Prognozy te opierają się jednak na metodologii, która uwzględnia wcześniejsze procesy TSMC (N16FF) i Samsunga (14 nm) jako punkt odniesienia i dodaje deklarowane przyrosty wydajności z kolejnych generacji. Może to wprowadzać pewne rozbieżności.

Ważną innowacją w Intel 18A będzie PowerVia, czyli sieć zasilania poprowadzona od tylnej strony tranzystorów. Takie rozwiązanie może przyczynić się do poprawy wydajności i efektywności energetycznej, choć nie każdy układ wytwarzany w 18A musi z tej technologii skorzystać. Jeśli chodzi o energooszczędność, przewiduje się, że układy produkowane w procesie TSMC N2 będą cechować się niższym zużyciem energii niż te oparte na Samsung SF2. W przypadku Intela trudno o jednoznaczne wnioski.