Samsung nie zamierza paść. Rusza z chipami 2 nm drugiej generacji
Samsung oficjalnie zakończył podstawowy etap projektowania drugiej generacji procesu technologicznego 2 nm GAA (Gate-All-Around), co stanowi przełomowy moment zarówno dla firmy, jak i całego rynku półprzewodników. Pierwsze finalne układy będą produkowane jeszcze w tym roku.
Samsung kończy projekt drugiej generacji procesu 2 nm GAA
Technologia Gate-All-Around polega na otoczeniu kanału tranzystora bramką ze wszystkich stron, co zapewnia lepszą kontrolę nad przepływem prądu i zmniejsza straty energii. Samsung jako pierwszy wdrożył GAA przy produkcji układów 3 nm, a teraz rozwija tę koncepcję do jeszcze mniejszych wymiarów – 2 nm.
Nowy proces SF2 oferuje o nawet 29% wyższą wydajność dla tranzystorów typu N i 46% dla typu P w wąskich strukturach, redukcję globalnych odchyleń parametrów tranzystorów o 26% względem klasycznych FinFET, a do tego o około 50% mniejsze upływy prądu, co przekłada się na niższe zużycie energii i wyższą efektywność.
Pierwsze chipy jeszcze w tym roku
Samsung planuje rozpocząć masową produkcję układów 2 nm jeszcze w 2025 roku, początkowo dla segmentu mobilnego (prawdopodobnie Exynos 2600), a w kolejnych etapach także dla AI, HPC i motoryzacji. Firma już współpracuje z partnerami, takimi jak Arm, by zoptymalizować nowe rdzenie procesorów pod kątem SF2.
Wersje specjalistyczne procesu (np. SF2P, SF2X, SF2Z) będą sukcesywnie wdrażane do 2027 roku, oferując m.in. technologię zasilania od strony tylnej (backside power delivery), co jeszcze bardziej poprawi wydajność energetyczną.
Choć Samsung poczynił znaczne postępy, wyzwaniem pozostaje uzyskanie wysokiej wydajności produkcyjnej (yield). Obecnie testowa produkcja osiągnęła 30% sprawnych układów, co jest postępem, ale wciąż poniżej oczekiwań rynkowych (ok. 70%).
Jeśli firma zdoła poprawić wskaźniki uzysku, może odzyskać zaufanie dużych klientów i skutecznie konkurować z TSMC, który już przygotowuje się do masowej produkcji własnych układów 2 nm.
