Oto przyszłość pamięci w naszych smartfonach. Jest szybciej, więcej i cieniej
Postęp w rozwoju smartfonów może i w ostatnich czasach nieco spowolnił, ale na pewno się nie zatrzymał. Dobrym przykładem są układy pamięci, które już dawno odeszły od klasycznych pamięci eMMC na rzecz układów UFS.
Kilka miesięcy temu zostały opublikowane wytyczne dla pamięci UFS nowej generacji, oznaczonej numerem 4.1. Teraz natomiast SK Hynix, czyli jeden z czołowych producentów układów pamięci na świecie zaprezentował swoje pierwsze rozwiązanie bazujące na tej technologii. Mamy tu poprawę w dosłownie każdym aspekcie. Cała konstrukcja to 321-warstwowy układ TLC NAND. Jeśli chodzi o losowy odczyt, to nowe układy mogą pochwalić się poprawą parametrów o 15% względem poprzedników. Duży skok zrobiono natomiast w kwestii losowego zapisu: tu poprawa sięga aż 40%. Jeśli chodzi o odczyt sekwencyjny, to możemy tu liczyć nawet na 4,3 GB/s.
SK Hynix UFS 4.1
Układy te są także znacznie cieńsze. Mowa tu o zaledwie 0,85 mm. Dla porównania poprzednia generacja miała grubość 1 mm. Zmniejszeniu, tym razem o 7%, uległ także apetyt na energię. To przełoży się nie tylko na mniejsze jej zużycie, ale także mniejszą ilość generowanego ciepła. Warto także zaznaczyć, że te układy pamięci powstają jak na razie tylko w dwóch wariantach: 512 GB i 1 TB. Nie wiadomo czy z czasem pojawią się kości o niższej, lub wyższej pojemności. Pierwsze smartfony z tymi układami mogą trafić na rynek już w drugim kwartale przyszłego roku.
