Chiny nie zwalniają tempa. YMTC wprowadza nowe pamięci
Państwo Środka dołącza do grona czołowych producentów kości NAND dla nośników półprzewodnikowych. Lepiej wypada tylko Korea Południowa.

YMTC rozpoczęło wysyłkę piątej generacji pamięci 3D NAND, która posiada rekordową liczbę 294 warstw (w tym 232 aktywne). Eksperci z TechInsights przeprowadzili już pierwsze analizy tych układów, z których wynika, że Chińczycy - pomimo nałożonych przez USA sankcji - zdołali osiągnąć gęstość bitową porównywalną z czołowymi światowymi producentami.
YMTC nie zdecydowało się na oficjalną prezentację nowych pamięci
Warto podkreślić, że 232 aktywne warstwy to wynik porównywalny z konkurencją. Jedynie koreańskie SK hynix ogłosiło plany wprowadzenia 321-warstwaych pamięci (tzw. 9. generacja 3D NAND), które mają trafić do produkcji w pierwszej połowie tego roku. Tymczasem osiągnięcie poziomu 294 warstw w nowym układzie YMTC stanowi krok milowy dla całego rynku, a także wyraźny sygnał o dynamicznym rozwoju chińskiego sektora półprzewodników, mimo licznych ograniczeń handlowych.



Według pierwszych analiz, nowe pamięci 3D TLC od YTMC osiągają ponad 20 Gb/mm², co jest wynikiem zbliżonym do możliwości najnowszych kości od SK hynix, a jednocześnie niewiele niższym od 22,9 Gb/mm² oferowanych przez układy BiCS8 3D QLC NAND konsorcjum Kioxia/Western Digital. Tym samym chiński producent dołącza do grona firm dysponujących najbardziej zaawansowanymi technologicznie rozwiązaniami w tej dziedzinie.
Chiny wciąż wykorzystują technologię łączenia układów za pomocą tzw. "hybrid bonding", co pozwala maksymalizować zagęszczenie danych i przepustowość przy komunikacji z układem logiki. Architektura nazwana Xtacking 4.0 pozwala producentowi osiągać coraz wyższe parametry w zakresie wydajności i pojemności pamięci SSD.
Mimo tak znaczącego osiągnięcia, YMTC nie zdecydowało się na oficjalną prezentację i szeroką kampanię marketingową nowej technologii. Mogą być dwa powody takiej decyzji - niski uzysk lub obawa o reakcję rządu Stanów Zjednoczonych i ryzyko nałożenia dodatkowych sankcji.