Samsung chwali się rekordowymi wynikami za 3Q2021

Samsung pochwalił się prognozowanymi wynikami finansowymi za trzeci kwartał 2021 roku. Koreańska firma osiągnęła duży wzrost przychodów oraz zysków, zarówno w ujęciu rocznym, jak i kwartalnym.

Marian Szutiak (msnet)
0
Udostępnij na fb
Udostępnij na X
Samsung chwali się rekordowymi wynikami za 3Q2021

Samsung Elektronics opublikował najnowsze prognozy dotyczące wielkości sprzedaży i zysku operacyjnego za trzeci kwartał 2021 roku. Koreański producent chwali się rekordowymi wynikami, co napędzane jest przede wszystkim przez dział półprzewodników. Na wielkość kwartalnego przychodu wpłynąć miała dobra sprzedaż chipsetów i wzrost cen półprzewodników. Dobre wyniki osiągnęła również sprzedaż smartfonów z serii Galaxy A i Galaxy M.

Dalsza część tekstu pod wideo

Prognozowane wyniki Samsunga umieściliśmy w tabeli poniżej, wraz z odpowiednimi wartościami z 2Q2021 i 3Q2020.

Wskaźnik 3Q2021 2Q2021 3Q2020
Wielkość przedaży 72-74 bln. wonów
(60-62 mld. dolarów)
63,67 bln wonów
(53,24 mld dolarów)
66,96 bln wonów
(55,99 mld dolarów)
Zysk operacyjny 15,7-15,9 bln. wonów
(13,1-13,3 mld. dolarów)
12,57 bln wonów
(10,51 mld dolarów)
12,35 bln wonów
(10,33 mld dolarów)
Pokaż więcej


Oczekuje się, że Samsung opublikuje końcowy raport z wynikami finansowymi za ostatni kwartał pod koniec października.

Chipy w litografii 3 nm i 2 nm

Podczas corocznego wydarzenia Samsung Foundry Forum koreański producent przedstawił swoje plany dotyczące produkcji chipów w procesach litograficznych 3 nm i 2 nm. Produkcja układów opartych o pierwszą z tych technologii ma się rozpocząć w pierwszej połowie 2022 roku w fabryce Samsunga w Pyeongtaek w Korei Południowej. Powinny one być o 30% wydajniejsze, zużywać o połowę mniej energii oraz zajmować o 35% mniej miejsca niż ich odpowiedniki wykonane w litografii 5 nm. Produkcja drugiej generacji chipów 3 nm ma się rozpocząć w 2023 roku.

Chipy w procesie 2 nm są na wczesnym etapie rozwoju. Będą one wykorzystywać węzeł GAA (gate-all-around) i wielomostową technologię FET (field-effect transistor), która również jest w trakcie opracowywania.