Samsung ma powody do zadowolenia. Konkurencja jest w tyle
Ryzyko podjęte przez południowokoreańskiego czebola się opłaciło. Już niedługo Samsung może zyskać przewagę nad SK hynix i Micronem.
Koreańskie media donoszą, że Samsung osiągnął istotny postęp w produkcji swojej zaawansowanej pamięci DRAM szóstej generacji w litografii 10 nm, znanej jako 1c DRAM. Testy wykazują, że uzysk dla nowych układów wzrósł do poziomu 50-70%, co stanowi znaczną poprawę w porównaniu z wynikami sprzed roku, które nie przekraczały żałosnych 30%.
Nowe układy Samsunga trafią do urządzeń mobilnych i serwerów
Podczas gdy konkurenci, tacy jak SK hynix i Micron, kontynuują rozwój produktów opartych na 1b DRAM dla układów HBM4, Samsung obrał ryzykowną, lecz potencjalnie bardziej dochodową ścieżkę - rozwój nowszej technologii 1c DRAM. Poprawiony uzysk pozwoli Koreańczykom na zwiększenie skali produkcji, a plany rozszerzenia działalności w zakładach w Hwaseong i Pyeongtaek mają rozpocząć się jeszcze przed końcem 2025 roku.
Postępy te wspierają również harmonogram produkcji HBM4 dla akceleratorów HPC i AI, które Samsung zamierza wprowadzić do masowej produkcji w drugiej połowie roku. Eksperci podkreślają jednak, że układy wciąż znajdują się we wczesnej fazie rozwoju i wymagają monitorowania.
Pierwotnie Samsung planował rozpoczęcie masowej produkcji 1c DRAM pod koniec 2024 roku, lecz zdecydował się na przeprojektowanie układu, co opóźniło wdrożenie o ponad rok. Nowe pamięci DRAM będą produkowane w zakładzie Pyeongtaek (Linia 4) i znajdą zastosowanie zarówno w urządzeniach mobilnych, jak i w serwerach.
