DAJ CYNK

Samsung wprowadza pamięci LPDDR3 wykonane w procesie technologicznym 20 nm

LuiN

Wydarzenia

Samsung potwierdził dzisiaj rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu LPDDR3, opartych na procesie produkcyjnym 20 nanometrów. Zapewniają one dłuższą pracę akumulatora i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.

Samsung potwierdził dzisiaj rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu LPDDR3, opartych na procesie produkcyjnym 20 nanometrów. Zapewniają one dłuższą pracę akumulatora i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.

W marcu firma Samsung po raz pierwszy w branży zastosowała technologię 20 nanometrów w układzie 4 Gb DDR3 dla komputerów PC, a teraz rozszerzyła jej zastosowanie na mobilne pamięci DRAM.

Nowy układ 6Gb LPDDR3 firmy Samsung cechuje transfer danych do 2133 megabitów na sekundę. Pakiet 3 GB LPDDR3, który składa się z czterech układów 6 Gb LPDDR3 jest o ponad 20% mniejszy i zużywa ok. 10% mniej energii niż obecnie dostępne pakiety 3 GB. W rezultacie Samsung stworzył bardzo małą, niezwykle cienką, wyjątkowo szybką i znacznie mniej energochłonną pamięć mobilną.

Chcesz być na bieżąco? Obserwuj nas na Google News

Źródło tekstu: Samsung, wł