Telekomunikacja jak na dłoni
Wiadomości Samsung: Rusza produkcja pierwszych pamięci 3D Vertical NAND Flash

Samsung: Rusza produkcja pierwszych pamięci 3D Vertical NAND Flash

LuiN 8 Sierpnia 2013 13:10

3 0

v nand Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pierwszych w branży trójwymiarowych pamięci flash typu Vertical NAND (3D V-NAND). To przełom w pokonywaniu granic miniaturyzacji pamięci NAND i zapowiedź nowej ery pamięci 3D oferujących większą wydajność i pojemność.

Pojedyncze chipy Samsung V-NAND zapewniają pojemność 128 gigabitów (Gb). Wykorzystano w nich opracowaną przez koreańską firmę pionową strukturę komórek pamięci w oparciu o technologię 3D Charge Trap Flash (CTF) oraz technologię procesu pionowego wiązania, umożliwiającą łączenie trójwymiarowych układów komórek. Dzięki zastosowaniu obu tych technologii pamięć 3D V-NAND umożliwia ponad dwukrotną miniaturyzację w porównaniu z płaską pamięcią flash klasy 20 nm.

Od ponad 40 lat typowe pamięci flash wykorzystują płaskie struktury z izolowanymi (tzw. swobodnymi) bramkami (floating gates). Odkąd nowe technologie produkcji pozwoliły osiągnąć klasę 10 nm, a nawet ją przekroczyć, pojawiły się problemy związane z granicami miniaturyzacji, przekroczenie których powoduje występowanie interferencji między komórkami pamięci mogące obniżać niezawodność produktów typu NAND flash. Takie ograniczenia dodatkowo wydłużają czas i zwiększają koszty prac badawczo-rozwojowych. Nowa technologia Samsung V-NAND pokonuje technologiczne wyzwania, umożliwiając pionowe układanie płaskich warstw komórek w nowe, trójwymiarowe konstrukcje.




W ramach architektury NAND flash bazującej na modelu CTF, ładunek elektryczny zostaje tymczasowo uwięziony w komorze otoczonej nieprzewodzącą powierzchnią z azotku krzemu (SiN), zamiast korzystać ze swobodnej bramki zapobiegającej interferencjom pomiędzy sąsiadującymi komórkami pamięci. Poprzez wzbogacenie warstwy CTF o trzeci wymiar udało się znacznie poprawić niezawodność i szybkość pamięci NAND. Nowa pamięć 3D V-NAND charakteryzuje się nie tylko większą niezawodnością (od 2 do 10 razy), lecz także dwukrotnie wyższą prędkością zapisu w porównaniu z konwencjonalnymi pamięciami NAND flash w technologii 10 nm ze swobodnymi bramkami.

Procesu łączenia umożliwia ułożenie w pionie do 24 warstw komórek pamięci dzięki specjalnej technologii trawienia, łączącej warstwy poprzez ich perforację - od warstwy najwyższej aż do podstawy. Dzięki nowej, pionowej strukturze Samsung może projektować produkty z pamięciami NAND flash o większej pojemności, powiększając trójwymiarowe warstwy komórek bez konieczności dalszej miniaturyzacji na płaszczyźnie, co obecnie stało się niezwykle trudne do osiągnięcia.

Po prawie 10 latach badań nad 3D Vertical NAND, firma Samsung posiada na całym świecie ponad 300 zgłoszeń patentowych w zakresie pamięci 3D. Pierwsza na rynku w pełni funkcjonalna pamięć 3D Vertical NAND stanowi podstawę do tworzenia bardziej zaawansowanych produktów, np. pamięci NAND flash 1Tb. Nowe pamięci wykorzystane zostaną w urządzeniach mobilnych i do tworzenia pojemniejszych dysków SSD.

Źródło tekstu: Samsung     

Dodaj do:

Tagi: samsung

w sumie: 10
  • 1

    1. ~Nick  2013-08-08 13:53:22  host: 37.30.110.136.nat.umts.dynamic.t-mobile.pl

    No wreszcie będę miał na czym trzymać moje filmy w 3D. Czy będzie można je oglądać bez okularów?

  • 1

    2.  2013-08-08 14:00:34

    @1. Nick Tak będzie można bez okularów. Tylko dobry mikroskop kup ;-)

  • 0

    3. ~Hose  2013-08-08 14:23:38  host: 80.50.142.34

    A pewne "typki" mówią że Samsung wszystko kopiuje bo nie umie nic stworzyć samodzielnie ;-) Prawda jest jednak inna...

  • 0

    4.  2013-08-08 16:12:48

    Ciekawe kiedy upowszechnią się sprzęty zbudowane w nowej technologii i jak drogie będą na początku?

  • 1

    5. ~rram  2013-08-08 16:28:10  host: 93.154.130.139

    RRAM - 20 razy szybszy, 20 - krotnie bardziej oszczędny, 10 - krotnie trwalszy. 1 chip może mieć 1 terabajt. Wpiszcie sobie RRAM w google.

  • 0

    6.  2013-08-08 16:41:56

    No niestety, przez kasiorkę trzeba będzie jeszcze troszkę poczekać na upowszechnienie - kilka lat.

  • -1

    7. ~Trol internetowy  2013-08-08 17:14:07  host: horiz0n.neozdrada.pl

    "Pojedyncze chipy Samsung V-NAND zapewniają pojemność 128 gigabitów (Gb)." Pojemność podajemy w Giga Bajtach, natomiast prędkość/przepływność w Giga bitach.

  • 0

    8.  2013-08-08 17:22:01

    7: nie masz racji. A prędkość/przepływność, jeżeli już, podaje się w jakiejś jednostce czasu, a nie w samych bitach...

  • 0

    9.  2013-08-08 17:39:28

    Pojemność możemy podać i w bitach i w bajtach. Kto i gdzie napisał że trzeba w bajtach? A prędkość jak napisał WitekT.

  • 0

    10. ~skylla  2013-08-09 11:23:39  host: d212-254.icpnet.pl

    Wystarczy wiedzieć, że bajt (B) ma 8 bitów (b) :-).

Dodaj swoją opinię

Do prawidłowego działania formularza wymagana jest akceptacja plików cookie.

host: ec2-54-221-73-186.compute-1.amazonaws.com


Serwis TELEPOLIS.PL zastrzega sobie prawo redakcji, skrótów, bądź usunięcia opinii zawierającej treści zabronione przez prawo, wulgarne, obraźliwie lub w inny sposób rażąco naruszające zasady współżycia społecznego. Komentarze są opiniami czytelników, za które ponoszą oni wyłączną odpowiedzialność. Nie są oficjalnymi opiniami serwisu TELEPOLIS.PL i jego redakcji. Jednocześnie przypominamy, że osoba zamieszczająca opinię może ponieść za jej treść odpowiedzialność karną i/lub cywilną.
Usuwane będą także komentarze zawierające oferty handlowe, numery telefonów, adresy e-mail czy komunikatorów oraz komentarze mocno odbiegające od treści wiadomości.