Chipset Qualcomm Snapdragon 835 oficjalnie zaprezentowany został na targach CES 2017. Wiemy już jak specyfikacja przekłada się na wydajność.
W nowym chipsecie Qualcommu zastosowano proces technologiczny 10 nm, który powinien pozwolić na skuteczne studzenie obudowy telefonu i znacznie mniejsze zużycie energii. W konstrukcji wykorzystano osiem rdzeni Kryo 280 w konfiguracji 4x 2,45 GHz oraz 4x 1,9 GHz. Do tego dostaniemy dwukanałowe kości pamięci LPDDR4x 1866 MHz i grafikę Adreno 540 (obsługującą biblioteki OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API oraz DirectX 12), która jest podobno o 25% wydajniejsza od poprzednika.
Oprócz tego będzie nowy modem ze wsparciem dla LTE kategorii 16. i wiele innych nowości, o których szerzej przeczytacie w tej wiadomości. Samsung, jako producent chipsetu, uzurpuje sobie prawo do pierwszeństwa zastosowania go w nadchodzącym Galaxy S8. Nie czekając jednak na premierę telefonów Koreańczyków, mamy już wyniki testów wydajności z innego telefonu.
Mowa o Xiaomi Mix Evo, którego prezentacji spodziewamy się w najbliższym czasie. W połowie stycznia do bazy benchmarku Geekbench trafił wynik wspomnianego telefonu pracującego jeszcze pod kontrolą Androida 6.0.1, i nie był zbyt optymistyczny:
Teraz doszły wyniki testu już na Androidzie 7.1.1 i są znacznie wyższe:
Pomimo niewątpliwej poprawy, nie da się ukryć, że w redakcji mieliśmy już wydajniejsze telefony, zarówno w teście pojedynczego rdzenia, jak i pracy wielordzeniowej:
| Telefon | Geekbench | |
| Singlecore | Multicore | |
| Apple iPhone SE | 2554 | 4425 |
| Honor 8 | 1636 | 5380 |
| HTC 10 | 2352 | 5114 |
| Huawei P9 | 1612 | 6142 |
| Huawei P9 Lite | 772 | 3372 |
| Lenovo Moto Z | 1351 | 3901 |
| LG G5 | 2324 | 4807 |
| Samsung Galaxy S6 Edge+ | 1398 | 4795 |
| Samsung Galaxy S7 | 2134 | 6476 |
| Samsung Galaxy S7 Edge | 2174 | 6296 |
| Sony Xperia X | 1497 | 3890 |
| Sony Xperia X Compact | 1390 | 3354 |
| Sony Xperia XZ | 1592 | 3981 |
| Sony Xperia Z5 Compact | 1315 | 3829 |
Źródło tekstu: GeekBench, wł
